光刻膠是在微電子制造業(yè)中實現(xiàn)精細(xì)線路及圖形加工工藝的核心材料。光刻技術(shù)利用光刻膠在輻射前后溶解度的差異來轉(zhuǎn)移圖案，不同光刻膠及曝光光源的組合會得到不同精細(xì)度的線路圖形，目前分辨率高可達(dá)納米級。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。

近因為中興被美國政府制裁禁用美國電子芯片一事，上上下下普及了一遍半導(dǎo)體技術(shù)，也讓很多人明白了國產(chǎn)廠商在半導(dǎo)體領(lǐng)域原來這么落后，不僅下游的芯片研發(fā)、設(shè)計不行，上游的半導(dǎo)體裝備、材料更是嚴(yán)重依賴進(jìn)口。

好在這種局面正在改變，芯片生產(chǎn)所需要的光刻機(jī)技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)國產(chǎn)化了，公司攻克了另一項中國芯關(guān)鍵技術(shù)。買回來的硅圓片經(jīng)過檢查無破損后即可投入生產(chǎn)線上，前期可能還有各種成膜工藝，然后就進(jìn)入到涂抹光刻膠環(huán)節(jié)。微影光刻工藝是一種圖形影印技術(shù)，也是集成電路制造工藝中一項關(guān)鍵工藝。

首先將光刻膠（感光性樹脂）滴在硅晶圓片上，通過高速旋轉(zhuǎn)均勻涂抹成光刻膠薄膜，并施加以適當(dāng)?shù)臏囟裙袒饪棠z薄膜。涂好了光刻膠才能進(jìn)入光刻機(jī)進(jìn)行曝光，讓紫外線在光刻膠上生成掩膜中的電路圖，必要的時候還要多重曝光，反復(fù)使用光刻膠，因此沒有這一步電路是造不出來的。

目前光刻膠上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家，包括陶氏化學(xué)、杜邦、富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)、LG化學(xué)等等，中國公司在光刻膠領(lǐng)域也缺少核心技術(shù)。

我國LCD 光刻膠巨大，但卻高度依賴進(jìn)口。范圍內(nèi)，LCD 光刻膠占據(jù)所有光刻膠品種26.6% 的份額，而我國LCD 光刻膠的產(chǎn)值僅占所有光刻膠種類的2.7%左右。由于LCD 光刻膠行業(yè)技術(shù)壁壘高，主要由日本及韓國的廠商壟斷，如JSR、LG 化學(xué)、TOK、CHEIL 等。我資企業(yè)在該領(lǐng)域也已起步，目前北京科華、蘇州瑞紅等可以生產(chǎn)一些彩色光刻膠，上海新陽擬設(shè)立韓國子公司涉足黑色光刻膠領(lǐng)域。

半導(dǎo)體方面，日美壟斷半導(dǎo)體光刻膠，各類半導(dǎo)體光刻膠中，日美企業(yè)基本壟斷了g/i 線光刻膠、KrF/ArF 光刻膠，生產(chǎn)商主要有JSR、信越化學(xué)工業(yè)、TOK、陶氏化學(xué)等。而我國半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)企業(yè)主要有蘇州瑞紅、北京科華等，兩家企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入和創(chuàng)新，有望持續(xù)半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化進(jìn)程，逐漸降低我國對半導(dǎo)體光刻膠的進(jìn)口依賴程度。

光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理，可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型

采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。

光分解型

采用含有疊氮醌類化合物的材料，經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄?，可以制成正性膠。

光交聯(lián)型

采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負(fù)性光刻膠?？逻_(dá)公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。